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2007
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
| Autor: | |
| Titel: | |
| ISBN-Nummer: |
Detailangaben zum Buch - Dielectric Films for Advanced Microelectronics
EAN (ISBN-13): 9780470065419
ISBN (ISBN-10): 0470065419
Erscheinungsjahr: 2007
Herausgeber: Wiley
508 Seiten
Sprache: eng/Englisch
Buch in der Datenbank seit 2009-11-27T12:40:01+01:00 (Vienna)
Detailseite zuletzt geändert am 2023-11-06T18:24:21+01:00 (Vienna)
ISBN/EAN: 9780470065419
ISBN - alternative Schreibweisen:
0-470-06541-9, 978-0-470-06541-9
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: martin green, marti green, green karen, john paul, martin mae, baklanov
Titel des Buches: microelectronics
Daten vom Verlag:
Autor/in: Mikhail Baklanov
Titel: Wiley Series in Materials for Electronic & Optoelectronic Applications; Dielectric Films for Advanced Microelectronics
Verlag: Wiley; John Wiley & Sons
508 Seiten
Erscheinungsjahr: 2007-04-04
Sprache: Englisch
208,99 € (DE)
EA; E107; E-Book; Nonbooks, PBS / Chemie; Technische Anwendung von Oberflächenbeschichtungen und -filmen; Dielectrics & Electric Insulators; Dielektrika u. Isolatoren; Dielektrizität; Dünne Schichten, Oberflächen u. Grenzflächen; Electrical & Electronics Engineering; Elektrotechnik u. Elektronik; Materials Science; Materialwissenschaften; Mikroelektronik; Thin Films, Surfaces & Interfaces; Dielektrika u. Isolatoren; Dünne Schichten, Oberflächen u. Grenzflächen; BB
Series Preface. Preface. (Mikhail Baklanov, Martin Green and KarenMaex). 1. Low and Ultralow Dielectric Constant Films Preparedby Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. (A.Grill). 2. Spin-On Dielectric Materials. (GeraudDubois, Willi Volksen and Robert D. Miller). 3.Porosity of Low Dielectric Constant Materials. 3.1 Positron Annihilation Spectroscopy. (David W.Gidley, Hua-Gen Peng, and Richard Vallery). 3.2Structure Characterization of Nanoporous InterlevelDielectric Thin Films with X-ray and Neutron Radiation.(Christopher L. Soles, Hae-Jeong Lee, Bryan D. Vogt, Eric K.Lin, Wen-li Wu). 3.3 Ellipsometric Porosimetry. (M. R.Baklanov). 4.Mechanical and Transport Properties of Low-kDielectrics. (J.L. Plawsky, R. Achanta, W. Cho, O.Rodriguez, R. Saxena, and W.N. Gill). 5. Integration of low-k dielectric films in damasceneprocesses. (R.J.O.M. Hoofman, V.H. Nguyen,V. Arnal, M.Broekaart, L.G. Gosset,W.F.A. Besling, M. Fayolle and F.Iacopi). 6. ONO structures and oxynitrides in modern microelectronics.Material science, characterization and application.(Yakov Roizin and Vladimir Gritsenko). High Dielectric constant Materials. 7. Material Engineering of High-k GateDielectrics. (Akira Toriumi and Koji Kita). 8. PhysicalCharacterisation of ultra-thin high-k dielectric. (T.Conard, H. Bender and W. Vandervorst). 9. Electrical Characterization of Advanced GateDielectrics. (Robin Degraeve, Jurriaan Schmitz,Luigi Pantisano, Eddy Simoen, Michel Houssa, Ben Kaezer, andGuido Groeseneken). Medium dielectric constant materials. 10. Integration Issues of High-k Gate Dielectrics.(Yasuo Nara). Dielectric films for interconnects (packaging). 11. Anisotropic Conductive Film (ACF) for AdvancedMicroelectronic Interconnects. (Yi Li, C. P.Wong). Index.Weitere, andere Bücher, die diesem Buch sehr ähnlich sein könnten:
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