2013, ISBN: 3322940535
Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren… Mehr…
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
Autor: | |
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ISBN-Nummer: |
Detailangaben zum Buch - Silizium-Halbleitertechnologie
EAN (ISBN-13): 9783322940537
ISBN (ISBN-10): 3322940535
Erscheinungsjahr: 2013
Herausgeber: Vieweg+Teubner Verlag
Buch in der Datenbank seit 2017-05-10T04:33:34+02:00 (Vienna)
Detailseite zuletzt geändert am 2024-02-26T17:07:18+01:00 (Vienna)
ISBN/EAN: 3322940535
ISBN - alternative Schreibweisen:
3-322-94053-5, 978-3-322-94053-7
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: hilleringmann
Titel des Buches: silizium halbleitertechnologie
Daten vom Verlag:
Autor/in: Ulrich Hilleringmann
Titel: Teubner Studienbücher Technik; Silizium-Halbleitertechnologie
Verlag: Vieweg+Teubner Verlag; Vieweg & Teubner
311 Seiten
Erscheinungsjahr: 2013-03-09
Wiesbaden; DE
Sprache: Deutsch
36,99 € (DE)
36,99 € (AT)
50,00 CHF (CH)
Available
XI, 311 S. 59 Abb.
EA; E107; eBook; Nonbooks, PBS / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Verstehen; Bauelement; Elektronik; Elektrotechnik; Halbleiter; Halbleitertechnologie; Handel; Informatik; Montage; Physik; Schaltung; Silizium; Technologie; Transistor; Verfahren; elektronische Bauelemente; A; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Electrical and Electronic Engineering; Technology and Engineering; Engineering; Elektrotechnik; Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein; BC
Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen für die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanallängen bis zu 50 nm.Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen für die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanallängen bis zu 50 nm.
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