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Michael Nastasi|James W. Mayer:

Ion Implantation and Synthesis of Materials - Taschenbuch

2010, ISBN: 3642062598

[EAN: 9783642062599], Neubuch, [PU: Springer Berlin Heidelberg], DIFFUSION DOPING IMPLANTEDSHALLOWJUNCTIONS IONIMPLANTATION IONRANGES ION-MODIFIEDMATERIALS SLICINGSILICON CRYSTAL DISTRIBU… Mehr…

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Mayer, James W.; Nastasi, Michael:

Ion Implantation and Synthesis of Materials - Taschenbuch

2010, ISBN: 3642062598

Gebundene Ausgabe

Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006 Kartoniert / Broschiert Materialwissenschaft / Aggregatzustände, Teilchen- und Hochenergiephysik, Physikalische Chemie, Elektronische Geräte … Mehr…

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Michael Nastasi James W. Mayer:
Ion Implantation and Synthesis of Materials - Erstausgabe

2010

ISBN: 9783642062599

Taschenbuch

[ED: Kartoniert / Broschiert], [PU: Springer Berlin Heidelberg], Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Presents the basics and c… Mehr…

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Nastasi, Michael:
Ion Implantation and Synthesis of Materials - Taschenbuch

2010, ISBN: 9783642062599

Mitwirkende: Mayer, James W. Springer, Taschenbuch, Auflage: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006, 280 Seiten, Publiziert: 2010-02-12T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.… Mehr…

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Ion Implantation and Synthesis of Materials - Taschenbuch

2006, ISBN: 9783642062599

Ion Implantation and Synthesis of Materials ab 129.99 € als Taschenbuch: Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2006. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Physik, Medien > Bücher nein B… Mehr…

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Ion Implantation and Synthesis of Materials
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783642062599


Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.

Detailangaben zum Buch - Ion Implantation and Synthesis of Materials


EAN (ISBN-13): 9783642062599
ISBN (ISBN-10): 3642062598
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: Springer Berlin Heidelberg
280 Seiten
Gewicht: 0,427 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 2011-05-18T00:41:30+02:00 (Vienna)
Detailseite zuletzt geändert am 2023-01-25T17:23:33+01:00 (Vienna)
ISBN/EAN: 9783642062599

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-642-06259-8, 978-3-642-06259-9
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: michael nastasi, michael mayer, michael may, michael nast, james michael
Titel des Buches: synthesis, ion

Daten vom Verlag:

Autor/in: Michael Nastasi; James W. Mayer
Titel: Ion Implantation and Synthesis of Materials
Verlag: Springer; Springer Berlin
263 Seiten
Erscheinungsjahr: 2010-02-12
Berlin; Heidelberg; DE
Gedruckt / Hergestellt in Niederlande.
Sprache: Englisch
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 263 p. 131 illus.

BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Atomphysik, Kernphysik; Teilchen- und Hochenergiephysik; Verstehen; Diffusion; Doping; Implanted shallow junctions; Ion implantation; Ion ranges; Ion-modified materials; Slicing silicon; crystal; distribution; materials properties; materials science; Accelerator Physics; Condensed Matter Physics; Optical Materials; Characterization and Analytical Technique; Physical Chemistry; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Werkstoffprüfung; Physikalische Chemie; BB

Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.
Presents the basics and current state of the art in the field of ion implantation-based materials physics Includes supplementary material: sn.pub/extras
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