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Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems : Physics and Technology - Ayse Erol
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Ayse Erol:

Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems : Physics and Technology - Taschenbuch

2010, ISBN: 3642093930

[EAN: 9783642093937], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Springer Berlin Heidelberg], MODULATOR; DEVELOPMENT; DYNAMICS; ELECTRONIC PROPERTIES; STRUCTURE; ELECTRONICS; LASER; NANOSTRUCTURE; OPTICS; … Mehr…

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Herausgegeben:Erol, Ayse:

Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems - Taschenbuch

2010, ISBN: 9783642093937

[ED: Softcover], [PU: Springer / Springer Berlin Heidelberg / Springer, Berlin], A major current challenge for semiconductor devices is to develop materials for the next generation of opt… Mehr…

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Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems Physics and Technology - Taschenbuch

2010

ISBN: 3642093930

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Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2008 Kartoniert / Broschiert Laserphysik, Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie, Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein, Technische A… Mehr…

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2010, ISBN: 3642093930

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Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2008 Kartoniert / Broschiert Laserphysik, Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie, Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein, Technische A… Mehr…

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Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems - Taschenbuch

2008, ISBN: 9783642093937

*Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems* - Physics and Technology. Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2008 / Taschenbuch für 160.49 € / Aus dem Bereich: Bücher, Wiss… Mehr…

3642093930. Versandkosten:Shipping in 3 days, , Versandkostenfrei nach Hause oder Express-Lieferung in Ihre Buchhandlung., DE. (EUR 0.00)
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783642093937


This book reviews the current status of research and development in dilute III-V nitrides. It covers major developments in this new class of materials within 24 chapters from prominent research groups. The book integrates materials science and applications in optics and electronics in a unique way. It is valuable both as a reference work for researchers and as a study text for graduate students.

Detailangaben zum Buch - Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems


EAN (ISBN-13): 9783642093937
ISBN (ISBN-10): 3642093930
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: Springer Berlin Heidelberg
624 Seiten
Gewicht: 0,929 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 2012-05-25T12:45:39+02:00 (Vienna)
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ISBN/EAN: 9783642093937

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-642-09393-0, 978-3-642-09393-7
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Titel des Buches: semiconductors, nitride, material

Daten vom Verlag:

Autor/in: Ayse Erol
Titel: Springer Series in Materials Science; Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems - Physics and Technology
Verlag: Springer; Springer Berlin
592 Seiten
Erscheinungsjahr: 2010-11-30
Berlin; Heidelberg; DE
Gedruckt / Hergestellt in Niederlande.
Sprache: Englisch
160,49 € (DE)
164,99 € (AT)
177,00 CHF (CH)
POD
XXXII, 592 p.

BC; Hardcover, Softcover / Technik/Maschinenbau, Fertigungstechnik; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Verstehen; Modulator; development; dynamics; electronic properties; electronic structure; electronics; laser; nanostructure; optics; optoelectronics; physics; quantum wells; semiconductor; solar cell; spectroscopy; Optical Materials; Condensed Matter Physics; Spectroscopy; Technology and Engineering; Laser; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Spektroskopie, Spektrochemie, Massenspektrometrie; Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein; Laserphysik; BB; EA

Energetic Beam Synthesis of Dilute Nitrides and Related Alloys.- Impact of Nitrogen Ion Density on the Optical and Structural Properties of MBE Grown GaInNAs/GaAs (100) and (111)B Quantum Wells.- Electronic Band Structure of Highly Mismatched Semiconductor Alloys.- Electronic Structure of GaNxAs1?x Under Pressure.- Experimental Studies of GaInNAs Conduction Band Structure.- Electromodulation Spectroscopy of GaInNAsSb/GaAs Quantum Wells: The Conduction Band Offset and the Electron Effective Mass Issues.- The Effects of Nitrogen Incorporation on Photogenerated Carrier Dynamics in Dilute Nitrides.- Influence of the Growth Temperature on the Composition Fluctuations of GaInNAs/GaAs Quantum Wells.- Assessing the Preferential Chemical Bonding of Nitrogen in Novel Dilute III–As–N Alloys.- The Hall Mobility in Dilute Nitrides.- Spin Dynamics in Dilute Nitride.- Optical and Electronic Properties of GaInNP Alloys: A New Material for Lattice Matching to GaAs.- Properties and Laser Applications of the GaP-Based (GaNAsP)-Material System for Integration to Si Substrates.- Comparison of the Electronic Band Formation and Band Structure of GaNAs and GaNP.- Doping, Electrical Properties and Solar Cell Application of GaInNAs.- Elemental Devices and Circuits for Monolithic Optoelectronic-Integrated Circuit Fabricated in Dislocation-Free Si/III–V-N Alloy Layers Grown on Si Substrate.- Analysis of GaInNAs-Based Devices: Lasers and Semiconductor Optical Amplifiers.- Dilute Nitride Quantum Well Lasers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.- Interdiffused GaInNAsSb Quantum Well on GaAs for 1,300–1,550 nm Diode Lasers.- Vertical Cavity Semiconductor Optical Amplifiers Based on Dilute Nitrides.- Dilute Nitride Photodetector and Modulator Devices.
Covers major developments in this new class of materials Integrates materials science and applications in optics and electronics in a unique way Both a reference work for researchers and a study text for graduate students Includes supplementary material: sn.pub/extras

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