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Über das Werk

Epitaxy of Semiconductors (ISBN: 13 Stellen) bietet einen detaillierten Einblick in die epitaktische Herstellung von Halbleiterstrukturen und ihre historische Entwicklung von den Anfängen bis zu modernen Anwendungen. Der Titel führt den Leser durch grundlegende Konzepte, technologische Meilensteine und experimentelle Methoden, die die Qualität und Leistungsfähigkeit von Epitaxie-basierten Bauelementen maßgeblich beeinflusst haben. Die Arbeit dient sowohl Forschenden als auch Studierenden als zentrale Referenz für das Verständnis der kristallinen Wachstumsprozesse und deren Auswirkungen auf elektronische und optische Eigenschaften von Halbleitern.

Zusammenfassung

Der Band bietet eine umfassende Abhandlung der Epitaxie, beginnend mit theoretischen Grundlagen wie Kristallstrukturen, Wachstumsmechanismen und Defektentstehung, über dünnfilmtechnische Verfahren bis hin zu hochentwickelten Methoden wie MBE ( Molecular Beam Epitaxy) und MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase E Epitaxy). Neben der Beschreibung der physikalischen Prinzipien werden praktische Aspekte der Parametereinstellung, Qualitätssicherung, Materialsysteme (z. B. GaAs, InP, GaN) und Anwendungen in der Halbleitertechnik beleuchtet. Durch Fallstudien, Beispiele aus der Forschungspraxis und detaillierte Darstellungen von Mess- und Analysentechniken vermittelt das Werk ein tiefes Verständnis für die Einflussgrößen auf Wachstumsqualität, Defektkontrolle und die Leistungsfähigkeit endlicher Bauelemente.

Über den Autor/in

Udo W. Pohl ist eine prägenden Persönlichkeit im Feld der Halbleiterwissenschaften. Mit fundierter Forschungserfahrung und klarer Didaktik gelingt es ihm, komplexe epitaktische Prozesse greifbar zu machen und dem Leser sowohl theoretische Tiefe als auch praxisnahe Orientierung zu bieten. Seine Arbeiten zeichnen sich durch analytische Präzision, illustrative Beispiele und einen konsequenten Fokus auf die Relevanz für Forschung und Anwendung aus.

Kurz gefasst

Dieses Werk bietet eine gründliche, zugleich klare und anschauliche Übersicht zur Epitaxie von Semiconductoren. Es verbindet fundierte Theorie mit praktischen Hinweisen, illustriert zentrale Wachstumsverfahren und zeigt, wie präzise kontrollierte epitaktische Prozesse die Leistung moderner Bauelemente bestimmen. Eine unverzichtbare Referenz für Forscher, Studierende und Fachleute, die die Materie tiefgehend verstehen wollen.

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Epitaxy of Semiconductors : Introduction to Physical Principles - gebunden oder broschiert

2013, ISBN: 3642329691

[EAN: 9783642329692], Nieuw boek, [SC: 14.01], [PU: Springer-Verlag Gmbh], ELEKTRONIK / HALBLEITER; LEITUNG (PHYSIKALISCH) FESTKÖRPERPHYSIK; PHYSIK; CHEMIE (PHYSIKALISCH); PHYSIK CHEMIE; … Mehr…

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2013, ISBN: 3642329691

[EAN: 9783642329692], Nieuw boek, [SC: 14.0], [PU: Springer-Verlag Gmbh], ELEKTRONIK / HALBLEITER; LEITUNG (PHYSIKALISCH) FESTKÖRPERPHYSIK; PHYSIK; CHEMIE (PHYSIKALISCH); PHYSIK CHEMIE; P… Mehr…

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Epitaxy of Semiconductors - neues Buch

2001

ISBN: 9783642329692

[ED: Buch], [PU: Springer-Verlag GmbH], Neuware - Introduction to Epitaxy provides the essential information for a comprehensive upper-level graduate course treating the crystalline growt… Mehr…

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2013, ISBN: 3642329691

[EAN: 9783642329692], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Springer-Verlag Gmbh Jan 2013], ELEKTRONIK / HALBLEITER; LEITUNG (PHYSIKALISCH) FESTKÖRPERPHYSIK; PHYSIK; CHEMIE (PHYSIKALISCH); PHYSIK CHEM… Mehr…

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Pohl, Udo W.:
Epitaxy of Semiconductors | Introduction to Physical Principles | Udo W. Pohl | Buch | Graduate Texts in Physics | XIV | Englisch | 2013 | Springer Berlin | EAN 9783642329692 - gebunden oder broschiert

2013, ISBN: 9783642329692

[ED: Gebunden], [PU: Springer Berlin], Introduction to Epitaxy provides the essential information for a comprehensive upper-level graduate course treating the crystalline growth of semico… Mehr…

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Epitaxy of Semiconductors: Introduction to Physical Principles (Graduate Texts in Physics)
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783642329692

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Über das Werk

Epitaxy of Semiconductors (ISBN: 13 Stellen) bietet einen detaillierten Einblick in die epitaktische Herstellung von Halbleiterstrukturen und ihre historische Entwicklung von den Anfängen bis zu modernen Anwendungen. Der Titel führt den Leser durch grundlegende Konzepte, technologische Meilensteine und experimentelle Methoden, die die Qualität und Leistungsfähigkeit von Epitaxie-basierten Bauelementen maßgeblich beeinflusst haben. Die Arbeit dient sowohl Forschenden als auch Studierenden als zentrale Referenz für das Verständnis der kristallinen Wachstumsprozesse und deren Auswirkungen auf elektronische und optische Eigenschaften von Halbleitern.

Zusammenfassung

Der Band bietet eine umfassende Abhandlung der Epitaxie, beginnend mit theoretischen Grundlagen wie Kristallstrukturen, Wachstumsmechanismen und Defektentstehung, über dünnfilmtechnische Verfahren bis hin zu hochentwickelten Methoden wie MBE ( Molecular Beam Epitaxy) und MOVPE (Metal-Organic Vapor Phase E Epitaxy). Neben der Beschreibung der physikalischen Prinzipien werden praktische Aspekte der Parametereinstellung, Qualitätssicherung, Materialsysteme (z. B. GaAs, InP, GaN) und Anwendungen in der Halbleitertechnik beleuchtet. Durch Fallstudien, Beispiele aus der Forschungspraxis und detaillierte Darstellungen von Mess- und Analysentechniken vermittelt das Werk ein tiefes Verständnis für die Einflussgrößen auf Wachstumsqualität, Defektkontrolle und die Leistungsfähigkeit endlicher Bauelemente.

Über den Autor/in

Udo W. Pohl ist eine prägenden Persönlichkeit im Feld der Halbleiterwissenschaften. Mit fundierter Forschungserfahrung und klarer Didaktik gelingt es ihm, komplexe epitaktische Prozesse greifbar zu machen und dem Leser sowohl theoretische Tiefe als auch praxisnahe Orientierung zu bieten. Seine Arbeiten zeichnen sich durch analytische Präzision, illustrative Beispiele und einen konsequenten Fokus auf die Relevanz für Forschung und Anwendung aus.

Kurz gefasst

Dieses Werk bietet eine gründliche, zugleich klare und anschauliche Übersicht zur Epitaxie von Semiconductoren. Es verbindet fundierte Theorie mit praktischen Hinweisen, illustriert zentrale Wachstumsverfahren und zeigt, wie präzise kontrollierte epitaktische Prozesse die Leistung moderner Bauelemente bestimmen. Eine unverzichtbare Referenz für Forscher, Studierende und Fachleute, die die Materie tiefgehend verstehen wollen.

Detailangaben zum Buch - Epitaxy of Semiconductors: Introduction to Physical Principles (Graduate Texts in Physics)


EAN (ISBN-13): 9783642329692
ISBN (ISBN-10): 3642329691
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2013
Herausgeber: Springer
326 Seiten
Gewicht: 0,639 kg
Sprache: Englisch

Buch in der Datenbank seit 2009-08-31T21:37:31+02:00 (Vienna)
Buch zuletzt gefunden am 2025-11-26T19:07:25+01:00 (Vienna)
ISBN/EAN: 9783642329692

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-642-32969-1, 978-3-642-32969-2
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: pohl, udo
Titel des Buches: introduction semiconductor physics, epitaxy semiconductors, pohl, physical principles, graduate texts physics, springer texts

Daten vom Verlag:

Autor/in: Udo W. Pohl
Titel: Graduate Texts in Physics; Epitaxy of Semiconductors - Introduction to Physical Principles
Verlag: Springer; Springer Berlin
325 Seiten
Erscheinungsjahr: 2013-01-10
Berlin; Heidelberg; DE
Gedruckt / Hergestellt in Niederlande.
Sprache: Englisch
74,85 € (DE)
76,95 € (AT)
93,68 CHF (CH)
Not available, publisher indicates OP
XIV, 325 p.

BB; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Atomphysik, Kernphysik; Elektronische Geräte und Materialien; Verstehen; Crystal Structures; Epitaxy of Semiconductors; Liquid Phase Epitaxy; Materials for Optoelectronics; Metallorganic Vapor Phase Epitaxy; Molecular Beam Epitaxy; Semiconductor Heterostructures; Semiconductor Nanostructures; Thermodynamics of Epitaxial Layer Growth; Semiconductors; Optical Materials; Physical Chemistry; Applied and Technical Physics; Crystallography and Scattering Methods; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Physikalische Chemie; Angewandte Physik; Werkstoffprüfung; EA; BC

Introduction to Epitaxy provides the essential information for a comprehensive upper-level graduate course treating the crystalline growth of semiconductor heterostructures. Heteroepitaxy represents the basis of advanced electronic and optoelectronic devices today and is considered one of the top fields in materials research. The book covers the structural and electronic properties of strained epitaxial layers, the thermodynamics and kinetics of layer growth, and the description of the major growth techniques metalorganic vapor phase epitaxy, molecular beam epitaxy and liquid phase epitaxy. Cubic semiconductors, strain relaxation by misfit dislocations, strain and confinement effects on electronic states, surface structures and processes during nucleation and growth are treated in detail. The Introduction to Epitaxy requires only little knowledge on solid-state physics. Students of natural sciences, materials science and electrical engineering as well as their lecturers benefit from elementary introductions to theory and practice of epitaxial growth, supported by pertinent references and over 200 detailed illustrations.
Provides the essentials for a comprehensive graduate course on crystal growth of semiconductor heterostructures Covers thermodynamics and kinetics of layer growth and major growth techniques Gives detailed information to apply the crystal growth techniques Written in tutorial style Contains many instructive diagrams Supports learning with exercises after each chapter and solutions in the end of the book Includes supplementary material: sn.pub/extras
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