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Sverdlov, Viktor:

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs Viktor Sverdlov Buch Computational Microelectronics Englisch 2010 - gebunden oder broschiert

2010, ISBN: 9783709103814

[ED: Gebunden], [PU: Springer Wien], Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for d… Mehr…

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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs Viktor Sverdlov Buch Computational Microelectronics Englisch 2010 - gebunden oder broschiert

2010, ISBN: 9783709103814

[ED: Gebunden], [PU: Springer Wien], Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for d… Mehr…

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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - gebunden oder broschiert

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Hardback, [PU: SPRINGER VERLAG GMBH], Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for … Mehr…

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Sverdlov, Viktor:
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics) - gebunden oder broschiert

2010, ISBN: 9783709103814

Springer, Gebundene Ausgabe, Auflage: 2011, 266 Seiten, Publiziert: 2010-11-24T00:00:01Z, Produktgruppe: Book, Hersteller-Nr.: 70 black & white illustrations, 50 black, Verkaufsrang: 3119… Mehr…

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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics) - neues Buch

ISBN: 9783709103814

This book covers modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is explored in devices using analytical k.p and numerical ps… Mehr…

No. 9783709103814. Versandkosten:3, (EUR 3.44)

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Details zum Buch
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Detailangaben zum Buch - Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)


EAN (ISBN-13): 9783709103814
ISBN (ISBN-10): 3709103819
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: Springer
252 Seiten
Gewicht: 0,633 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 2011-04-09T21:17:05+02:00 (Vienna)
Detailseite zuletzt geändert am 2021-09-27T15:01:26+02:00 (Vienna)
ISBN/EAN: 9783709103814

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-7091-0381-9, 978-3-7091-0381-4


Daten vom Verlag:

Autor/in: Viktor Sverdlov
Titel: Computational Microelectronics; Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Verlag: Springer; Springer Wien
252 Seiten
Erscheinungsjahr: 2010-11-24
Vienna; AT
Gedruckt / Hergestellt in Deutschland.
Gewicht: 0,631 kg
Sprache: Englisch
181,89 € (DE)
186,99 € (AT)
200,50 CHF (CH)
POD
XIV, 252 p.

BB; Book; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Verstehen; semiconductor devices; strain technique; transport modeling; B; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Engineering; EA; BC

1 Introduction 2 Scaling, Power Consumption, and Mobility Enhancement Techniques 3 Strain and Stress 4 Basic Properties of the Silicon Lattice 5 Band Structure of Relaxed Silicon 6 Perturbative Methods for Band Structure Calculations in Silicon 7 Strain Effects on the Silicon Crystal Structure 8 Strain Effects on the Silicon Band Structure 9 Strain Effects on the Conduction Band of Silicon 10 Electron Subbands in Silicon in the Effective Mass Approximation 11 Electron Subbands in Thin Silicon Films 12 Demands of Transport Modeling in Advanced MOSFETs

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