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Haifeng Sun:

Optimization and Characterization of GaN-Based High Electron Mobility Transistors - Taschenbuch

2001, ISBN: 9783844006834

[ED: Taschenbuch], [PU: Shaker Verlag], Neuware - Because of their outstanding combination of physical properties, GaN-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) are very attractive… Mehr…

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Sun, Haifeng:

Optimization and Characterization of GaN-Based High Electron Mobility Transistors Haifeng Sun Taschenbuch Berichte aus der Elektrotechnik Englisch 2012 - Taschenbuch

2012, ISBN: 9783844006834

[ED: Taschenbuch], [PU: Shaker], Because of their outstanding combination of physical properties, GaN-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) are very attractive components for h… Mehr…

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Optimization and Characterization of GaN-Based High Electron Mobility Transistors - Haifeng Sun
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Haifeng Sun:
Optimization and Characterization of GaN-Based High Electron Mobility Transistors - Taschenbuch

2012

ISBN: 3844006834

[EAN: 9783844006834], Neubuch, [PU: Shaker Verlag Jan 2012], ALINN; GAN; GAN-ON-SILICON; HEMTS, Neuware - Because of their outstanding combination of physical properties, GaN-based high-e… Mehr…

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Optimization and Characterization of GaN-based High Electron Mobility Transistors (Berichte aus der Elektrotechnik) - Sun, Haifeng
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Sun, Haifeng:
Optimization and Characterization of GaN-based High Electron Mobility Transistors (Berichte aus der Elektrotechnik) - Taschenbuch

2012, ISBN: 9783844006834

Shaker Verlag GmbH, Germany, Paperback, 165 Seiten, Publiziert: 2012-01-17T00:00:01Z, Produktgruppe: Book, Hersteller-Nr.: 93, 0.24 kg, Electronics Engineering, Electronics & Communicatio… Mehr…

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Optimization and Characterization of GaN-Based High Electron Mobility Transistors
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Optimization and Characterization of GaN-Based High Electron Mobility Transistors - neues Buch

ISBN: 3844006834

Optimization and Characterization of GaN-Based High Electron Mobility Transistors ab 48.8 EURO 1. Aufl. Medien > Bücher

Nr. 18459012. Versandkosten:, , DE. (EUR 0.00)

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Details zum Buch

Detailangaben zum Buch - Optimization and Characterization of GaN-based High Electron Mobility Transistors (Berichte aus der Elektrotechnik)


EAN (ISBN-13): 9783844006834
ISBN (ISBN-10): 3844006834
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2012
Herausgeber: Shaker Verlag GmbH, Germany

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ISBN/EAN: 9783844006834

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-8440-0683-4, 978-3-8440-0683-4
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: sun
Titel des Buches: der transistor, transistors, mobility, englisch elektrotechnik


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