Deutsch
Österreich
Anmelden
Tipp von eurobuch.at
Ähnliche Bücher
Weitere, andere Bücher, die diesem Buch sehr ähnlich sein könnten:
Suchtools
Buchtipps
Aktuelles
Werbung
FILTER
- 0 Ergebnisse
Kleinster Preis: 36,10 €, größter Preis: 41,99 €, Mittelwert: 38,04 €
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - Martin Schlosser
Vergriffenes Buch, derzeit bei uns nicht verfügbar.
(*)
Martin Schlosser:
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - Taschenbuch

ISBN: 9783954043170

ID: 9783954043170

Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stoßionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden. Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt. Der Stoßionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Außerdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt. Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert. Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren: Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stoßionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden. Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt. Der Stoßionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Außerdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt. Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert., Cuvillier Verlag

Neues Buch Rheinberg-Buch.de
Taschenbuch, Deutsch, Neuware Versandkosten:Ab 20¤ Versandkostenfrei in Deutschland, Sofort lieferbar, DE. (EUR 0.00)
Details...
(*) Derzeit vergriffen bedeutet, dass dieser Titel momentan auf keiner der angeschlossenen Plattform verfügbar ist.
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - Martin Schlosser
Vergriffenes Buch, derzeit bei uns nicht verfügbar.
(*)
Martin Schlosser:
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - neues Buch

2013, ISBN: 9783954043170

ID: 691217439

Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stossionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stossionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden. Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt. Der Stossionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Ausserdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt. Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert. Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren Bücher > Sachbücher > Naturwissenschaften & Technik > Physik Taschenbuch 16.01.2013, Cuvillier Verlag, .201

Neues Buch Buch.ch
No. 34235491 Versandkosten:zzgl. Versandkosten
Details...
(*) Derzeit vergriffen bedeutet, dass dieser Titel momentan auf keiner der angeschlossenen Plattform verfügbar ist.
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - Martin Schlosser
Vergriffenes Buch, derzeit bei uns nicht verfügbar.
(*)
Martin Schlosser:
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - neues Buch

ISBN: 9783954043170

ID: 188acf5e9211e3c645aab92c1c09f066

Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stoßionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden. Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt. Der Stoßionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Außerdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt. Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert. Bücher / Sachbücher / Naturwissenschaften & Technik / Physik 978-3-95404-317-0, Cuvillier Verlag

Neues Buch Buch.de
Nr. 34235491 Versandkosten:Bücher und alle Bestellungen die ein Buch enthalten sind versandkostenfrei, sonstige Bestellungen innerhalb Deutschland EUR 3,-, ab EUR 20,- kostenlos, Bürobedarf EUR 4,50, kostenlos ab EUR 45,-, Sofort lieferbar, DE. (EUR 0.00)
Details...
(*) Derzeit vergriffen bedeutet, dass dieser Titel momentan auf keiner der angeschlossenen Plattform verfügbar ist.
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - Martin Schlosser
Vergriffenes Buch, derzeit bei uns nicht verfügbar.
(*)
Martin Schlosser:
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - neues Buch

ISBN: 9783954043170

ID: 117172950

Bei der Skalierung von Transistoren zu immer kleineren Dimensionen treten Stoßionisation, Randfeldeffekte und Tunneleffekt als limitierende Effekte auf. Diese können zur Entwicklung neuer Bauelementkonzepte verwendet werden, wovon hier der Tunneltransistor (TFET) und der Stoßionisationstransistor (IMOS) vorgestellt werden. Der Tunneltransistor zeigt eine gute Toleranz gegen Fluktuationen der Kanallänge und gegen Änderungen der Temperatur, erfordert jedoch eine Optimierung des On-Stroms. Hierfür werden drei mögliche Konzepte vorgestellt. Als vielversprechend haben sich dabei das Band-Gap-Engineering mit SiGe-Heterostrukturen sowie die Verwendung hochkapazitiver Dielektrika gezeigt. Der Stoßionisationstransistor zeigt ein schnelles Einschaltverhalten und gute Stabilität bei hoher Temperatur. Bei Tieftemperatur zeigen sich strukturierte Kennlinien, für welche zwei neue Erklärungsansätze vorgestellt werden. Außerdem wird die Eignung des Bauelements als optischer Detektor untersucht und bestätigt. Zur Untersuchung der vorgestellten Bauelementkonzepte wurden experimentell hergestellte vertikale Transistoren sowie die Simulationssoftware Taurus Medici verwendet. Die Grundlagen dazu werden deshalb in einem eigenen Kapitel zusammenfassend erläutert. Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren Buch (dtsch.) Bücher>Sachbücher>Naturwissenschaften & Technik>Physik, Cuvillier Verlag

Neues Buch Thalia.de
No. 34235491 Versandkosten:, Sofort lieferbar, DE (EUR 0.00)
Details...
(*) Derzeit vergriffen bedeutet, dass dieser Titel momentan auf keiner der angeschlossenen Plattform verfügbar ist.
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - Martin Schlosser
Vergriffenes Buch, derzeit bei uns nicht verfügbar.
(*)
Martin Schlosser:
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren - Erstausgabe

2013, ISBN: 9783954043170

Taschenbuch, ID: 25610765

[ED: 1], 1., Aufl., Softcover, Buch, [PU: Cuvillier, E]

Neues Buch Lehmanns.de
Versandkosten:Versand in 7-9 Tagen, , Versandkostenfrei innerhalb der BRD (EUR 0.00)
Details...
(*) Derzeit vergriffen bedeutet, dass dieser Titel momentan auf keiner der angeschlossenen Plattform verfügbar ist.