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Ion Implantation and Synthesis of Materials (Springer Series in Materials Science) - Nastasi, Michael, Mayer, James W.
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Nastasi, Michael, Mayer, James W.:

Ion Implantation and Synthesis of Materials (Springer Series in Materials Science) - gebunden oder broschiert

2006, ISBN: 9783540236740

Springer, Gebundene Ausgabe, Auflage: 2006, 277 Seiten, Publiziert: 2006-08-09T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.: 131 black & white illustrations, 10 blac, 1.3 kg, Maschinenb… Mehr…

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2006

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Ion Implantation and Synthesis of Materials - Taschenbuch

2006, ISBN: 9783540236740

Ion Implantation and Synthesis of Materials ab 160.49 € als gebundene Ausgabe: Auflage 2006. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Chemie, Medien > Bücher nein Buch (gebunden) Hardcover;… Mehr…

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Details zum Buch
Ion Implantation and Synthesis of Materials (Springer Series in Materials Science)
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783540236740


Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described. TOC:1. General Features and Fundamental Concepts.- 2. Particle Interactions.- 3. Dynamics of Binary Elastic Collisions.- 4. Cross-Section.- 5. Ion Stopping.- 6. Ion Range and Range Distribution.- 7. Displacements and Radiation Damage.- 8. Channeling.- 9. Doping, Diffusion and Defects in Ion-Implanted Si.- 10. Crystallization and Regrowth of Amorphous Si.- 11. Si Slicing and Layer Transfer: Ion-Cut.- 12. Surface Erosion during Implantation: Sputtering.- 13. Ion Induced Atomic Intermixing at the Interface: Ion Beam Mixing.- 14. Application of Ion Implantation Techniques in CMOS Fabrication.- 15. Ion Implantation in CMOS Technology: Machine Challenges.

Detailangaben zum Buch - Ion Implantation and Synthesis of Materials (Springer Series in Materials Science)


EAN (ISBN-13): 9783540236740
ISBN (ISBN-10): 3540236740
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2006
Herausgeber: Springer

Buch in der Datenbank seit 2007-06-16T01:37:59+02:00 (Vienna)
Detailseite zuletzt geändert am 2023-08-09T12:15:20+02:00 (Vienna)
ISBN/EAN: 9783540236740

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-540-23674-0, 978-3-540-23674-0
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: michael nastasi, michael nast, james, mayer holzmann
Titel des Buches: material synthesis, ion implantation synthesis materials, science synthesis, synthesis edition

Daten vom Verlag:

Autor/in: Michael Nastasi; James W. Mayer
Titel: Ion Implantation and Synthesis of Materials
Verlag: Springer; Springer Berlin
263 Seiten
Erscheinungsjahr: 2006-08-09
Berlin; Heidelberg; DE
Sprache: Englisch
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
Available
XIV, 263 p. 131 illus.

BB; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Atomphysik, Kernphysik; Teilchen- und Hochenergiephysik; Verstehen; Diffusion; Doping; Implanted shallow junctions; Ion implantation; Ion ranges; Ion-modified materials; Slicing silicon; crystal; distribution; materials properties; materials science; Accelerator Physics; Condensed Matter Physics; Optical Materials; Characterization and Analytical Technique; Physical Chemistry; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Werkstoffprüfung; Physikalische Chemie; EA; BC

Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.
Presents the basics and current state of the art in the field of ion implantation-based materials physics Includes supplementary material: sn.pub/extras

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