Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS : induites par des radiations ionisantes (rayons X) - Taschenbuch
ISBN: 3659558044
[EAN: 9783659558047], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Éditions Universitaires Européennes], INTERACTION DES RAYONS X AVEC L'OXYDE SIO2, ÉTATS D'INTERFACES, PIÉGES LENTS DANS PROCHES DE L'INT… Mehr…
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Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS induites par des radiations ionisantes (rayons X) - neues Buch
2019, ISBN: 3659558044
Kartoniert / Broschiert Elektronik, Nachrichtentechnik, mit Schutzumschlag neu, [PU:Editions universitaires europeennes EUE]
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Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS : induites par des radiations ionisantes (rayons X) - Taschenbuch
ISBN: 3659558044
[EAN: 9783659558047], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Éditions Universitaires Européennes], INTERACTION DES RAYONS X AVEC L'OXYDE SIO2, ÉTATS D'INTERFACES, PIÉGES LENTS DANS PROCHES DE L'INT… Mehr…
Derouiche, Yazid:
Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS induites par des radiations ionisantes (rayons X) - neues Buch2019, ISBN: 3659558044
Kartoniert / Broschiert Elektronik, Nachrichtentechnik, mit Schutzumschlag neu, [PU:Editions universitaires europeennes EUE]
Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
Detailangaben zum Buch - Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS : induites par des radiations ionisantes (rayons X)
ISBN (ISBN-10): 3659558044 (ISBN-13: 9783659558047)
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2019
Herausgeber: Éditions Universitaires Européennes
Buch in der Datenbank seit 2019-03-10T12:14:18+01:00 (Vienna)
Detailseite zuletzt geändert am 2019-03-24T17:58:18+01:00 (Vienna)
ISBN/EAN: 3659558044
ISBN - alternative Schreibweisen:
3-659-55804-4
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