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Semiklassische Modellierung des Ladungstransports in Inversionsschichten für Sub-100 nm-SiGe-CMOS-Transistoren - Chi Dong Nguyen
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Chi Dong Nguyen:
Semiklassische Modellierung des Ladungstransports in Inversionsschichten für Sub-100 nm-SiGe-CMOS-Transistoren - neues Buch

ISBN: 383251306X

Broché, [EAN: 9783832513061], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Book, [PU: Logos Verlag Berlin], Logos Verlag Berlin, Die immer höheren Dotierungen und immer stärkeren elektrischen Felder imKanalgebiet von modernen CMOS-Transistoren führen dazu, dass Quanteneffektebei der Simulation des Ladungstransports im Inversionskanal nicht längervernachlässigt werden können. In dieser Arbeit wurde daher ein genaues und rechenzeiteffizientes Kanaltransportmodell für p- und n-MOSFETs mit unverspannten und biaxial verspannten Siliziumkanälen entwickelt, das die wichtigsten Auswirkungen der bei der numerischen Simulation von modernen CMOS-Transistoren zu berücksichtigenden Quanteneffekte beschreibt. Das neueModell ist gültig im Gittertemperaturbereich zwischen -73°C und 227°C,für Dotierungen kleiner als 5e+18 /cm^3 und effektive vertikale Felder unterhalb von 2 MV/cm.Die Entwicklung dieses Transportmodells erfolgte im wesentlichen in zwei Schritten:Erstens wurde ein lokales Modell zur Berechnung der Ladungsträgerdichte entwickelt (ImprovedModified Local Density Approximation"- oder IMLDA-Modell), mit dem die quantenmechanischbegründete Ladungsumverteilung im Kanal näherungsweise ohne Erhöhung der Rechenzeit berücksichtigt werden kann. Dazu wurde eine selbstkonsistente Lösung von Schrödingergleichung und Poissongleichung (Referenzmodell) zur Erzeugung der zur Anpassung des IMLDA-Modells benötigten Referenzdaten entwickelt.Das entwickelte IMLDA-Modell reproduziert hervorragend relevante Ergebnisse des Referenzmodells, wiez.B. die Inversionsflächenladungsdichte und die wesentlichen Kapazitäten, für einen großenTemperatur- und Dotierungsbereich sowohl im unverspannten als auch im verspanntenSilizium-Inversionskanal. Zweitens wurde ein empirisches lokales Kanalbeweglichkeitsmodellfür die quantenmechanisch korrekte Ladungsträgerverteilung entwickelt. In diesem Zusammenhangwurden Kanalbeweglichkeiten aus Messungen bei hohen Dotierungen und hohen Temperaturen extrahiert. Die Messungen wurden von der Firma Infineon durchgeführt. Dabei wurde eine zuverlässige Methode zurKanalbeweglichkeitsextraktion a", 301130, Thèmes, 689215031, Actu, Politique et Société, 4237308031, Adolescents, 301144, Art, Musique et Cinéma, 301133, Bandes dessinées, 293136011, Beaux livres, 8434456031, Calendriers et Agendas, 302050, Cuisine et Vins, 301147, Dictionnaires, langues et encyclopédies, 301985, Droit, 301135, Entreprise et Bourse, 573312, Érotisme, 406310, Esotérisme et Paranormal, 3961911, Etudes supérieures, 301142, Famille, Santé et Bien-être, 301138, Fantasy et Terreur, 689214031, Histoire, 302009, Humour, 301131, Informatique et Internet, 301132, Littérature, 302042, Littérature sentimentale, 301137, Livres pour enfants, 355635011, Loisirs créatifs, décoration et bricolage, 302004, Manga, 355636011, Nature et animaux, 301134, Policier et Suspense, 301997, Religions et Spiritualités, 1381962031, Science-Fiction, 301139, Sciences humaines, 301141, Sciences, Techniques et Médecine, 301146, Scolaire et Parascolaire, 301143, Sports et passions, 302051, Tourisme et Voyages, 301061, Livres, 207156031, Livres en langues étrangères, 69633011, Subjects, 52042011, Livres anglais et étrangers

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Copertina flessibile, [EAN: 9783832513061], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Libro, [PU: Logos Verlag Berlin], Logos Verlag Berlin, Die immer höheren Dotierungen und immer stärkeren elektrischen Felder im Kanalgebiet von modernen CMOS-Transistoren führen dazu, dass Quanteneffekte bei der Simulation des Ladungstransports im Inversionskanal nicht länger vernachlässigt werden können. In dieser Arbeit wurde daher ein genaues und rechenzeiteffizientes Kanaltransportmodell für p- und n-MOSFETs mit unverspannten und biaxial verspannten Siliziumkanälen entwickelt, das die wichtigsten Auswirkungen der bei der numerischen Simulation von modernen CMOS-Transistoren zu berücksichtigenden Quanteneffekte beschreibt. Das neue Modell ist gültig im Gittertemperaturbereich zwischen -73°C und 227°C, für Dotierungen kleiner als 5e+18 /cm^3 und effektive vertikale Felder unterhalb von 2 MV/cm. Die Entwicklung dieses Transportmodells erfolgte im wesentlichen in zwei Schritten: Erstens wurde ein lokales Modell zur Berechnung der Ladungsträgerdichte entwickelt ('Improved Modified Local Density Approximation'- oder IMLDA-Modell), mit dem die quantenmechanisch begründete Ladungsumverteilung im Kanal näherungsweise ohne Erhöhung der Rechenzeit berücksichtigt werden kann. Dazu wurde eine selbstkonsistente Lösung von Schrödingergleichung und Poissongleichung (Referenzmodell) zur Erzeugung der zur Anpassung des IMLDA-Modells benötigten Referenzdaten entwickelt. Das entwickelte IMLDA-Modell reproduziert hervorragend relevante Ergebnisse des Referenzmodells, wie z.B. die Inversionsflächenladungsdichte und die wesentlichen Kapazitäten, für einen großen Temperatur- und Dotierungsbereich sowohl im unverspannten als auch im verspannten Silizium-Inversionskanal. Zweitens wurde ein empirisches lokales Kanalbeweglichkeitsmodell für die quantenmechanisch korrekte Ladungsträgerverteilung entwickelt. In diesem Zusammenhang wurden Kanalbeweglichkeiten aus Messungen bei hohen Dotierungen und hohen Temperaturen extrahiert. Die Messungen wurden von der Firma Infineon durchgeführt. D, 411664031, Categorie, 508758031, Arte, cinema e fotografia, 508779031, Azione e avventura, 508714031, Biografie, diari e memorie, 508791031, Calendari e agende, 508785031, Diritto, 508864031, Dizionari e opere di consultazione, 508786031, Economia, affari e finanza, 508792031, Famiglia, salute e benessere, 1345828031, Fantascienza, Horror e Fantasy, 508784031, Fumetti e manga, 508771031, Gialli e Thriller, 1346712031, Guide di revisione e aiuto allo studio, 508820031, Humour, 508733031, Informatica, Web e Digital Media, 508770031, Letteratura e narrativa, 508778031, Letteratura erotica, 508715031, Libri per bambini e ragazzi, 508888031, Libri scolastici, 508857031, Lingua, linguistica e scrittura, 508780031, Narrativa storica, 508811031, Politica, 508745031, Religione, 508775031, Romanzi rosa, 508867031, Scienze, tecnologia e medicina, 508794031, Self-help, 508879031, Società e scienze sociali, 508835031, Sport, 508796031, Storia, 508821031, Tempo libero, 508753031, Viaggi, 411663031, Libri

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Tapa blanda, [EAN: 9783832513061], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Libro, [PU: Logos Verlag Berlin], Logos Verlag Berlin, Die immer höheren Dotierungen und immer stärkeren elektrischen Felder im Kanalgebiet von modernen CMOS-Transistoren führen dazu, dass Quanteneffekte bei der Simulation des Ladungstransports im Inversionskanal nicht länger vernachlässigt werden können. In dieser Arbeit wurde daher ein genaues und rechenzeiteffizientes Kanaltransportmodell für p- und n-MOSFETs mit unverspannten und biaxial verspannten Siliziumkanälen entwickelt, das die wichtigsten Auswirkungen der bei der numerischen Simulation von modernen CMOS-Transistoren zu berücksichtigenden Quanteneffekte beschreibt. Das neue Modell ist gültig im Gittertemperaturbereich zwischen -73°C und 227°C, für Dotierungen kleiner als 5e+18 /cm^3 und effektive vertikale Felder unterhalb von 2 MV/cm. Die Entwicklung dieses Transportmodells erfolgte im wesentlichen in zwei Schritten: Erstens wurde ein lokales Modell zur Berechnung der Ladungsträgerdichte entwickelt ('Improved Modified Local Density Approximation'- oder IMLDA-Modell), mit dem die quantenmechanisch begründete Ladungsumverteilung im Kanal näherungsweise ohne Erhöhung der Rechenzeit berücksichtigt werden kann. Dazu wurde eine selbstkonsistente Lösung von Schrödingergleichung und Poissongleichung (Referenzmodell) zur Erzeugung der zur Anpassung des IMLDA-Modells benötigten Referenzdaten entwickelt. Das entwickelte IMLDA-Modell reproduziert hervorragend relevante Ergebnisse des Referenzmodells, wie z.B. die Inversionsflächenladungsdichte und die wesentlichen Kapazitäten, für einen großen Temperatur- und Dotierungsbereich sowohl im unverspannten als auch im verspannten Silizium-Inversionskanal. Zweitens wurde ein empirisches lokales Kanalbeweglichkeitsmodell für die quantenmechanisch korrekte Ladungsträgerverteilung entwickelt. In diesem Zusammenhang wurden Kanalbeweglichkeiten aus Messungen bei hohen Dotierungen und hohen Temperaturen extrahiert. Die Messungen wurden von der Firma Infineon durchgeführt. D, 599365031, Categorías, 902675031, Acción y aventura, 902486031, Arte, cine y fotografía, 902498031, Biografías, diarios y hechos reales, 902502031, Calendarios y agendas, 902503031, Ciencias, tecnología y medicina, 902517031, Consulta, 902516031, Cómics y manga, 902520031, Deporte, 902590031, Derecho, 902595031, Economía y empresa, 1349107031, Fantasía, terror y ciencia ficción, 902681031, Ficción erótica, 902682031, Ficción histórica, 902599031, Guías de estudio y repaso, 902600031, Historia, 902610031, Hogar, manualidades y estilos de vida, 902620031, Humor, 902621031, Infantil y juvenil, 902652031, Informática, internet y medios digitales, 902665031, Lengua, lingüística y redacción, 902673031, Libros de texto, 902729031, Libros y guías de viaje, 902674031, Literatura y ficción, 902685031, Policíaca, negra y suspense, 902693031, Política, 902702031, Religión, 902686031, Romántica, 902716031, Salud, familia y desarrollo personal, 902721031, Sociedad y ciencias sociales, 599364031, Libros

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Taschenbuch, [EAN: 9783832513061], Logos Berlin, Logos Berlin, Book, [PU: Logos Berlin], Logos Berlin, 560298, Feldeffekttransistoren, 560292, Bauelemente, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 290916, Transistoren, 560292, Bauelemente, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 178390031, General AAS, 560292, Bauelemente, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 560350, CMOS, 560346, Halbleiter, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 560356, MOS & VMOS, 560346, Halbleiter, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 178382031, General AAS, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 492559011, Taschenbuch, 492557011, Format (binding_browse-bin), 362683011, Refinements, 186606, Bücher, 616963011, Condition (condition-type), 616965011, Neu, 616967011, Gebraucht, 362683011, Refinements, 186606, Bücher, 182014031, Normale Größe, 182013031, Font Size (format_browse-bin), 362683011, Refinements, 186606, Bücher

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ISBN: 9783832513061

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